Principiul memoriei flash mobile

Memoria flash mobilă este compusă în principal din cip de control i/o, memorie flash, placă de circuite și alte componente electronice.

Principiul de stocare al memoriei mobile cu memorie flash este: computerul convertește semnalele digitale binare în semnale digitale binare compozite (adăugând instrucțiuni precum alocare, verificare, stivuire etc.) pentru a citi și scrie pe interfața de adaptare a cipului USB și a alocă interfața corespunzătoare. adresa cipului de memorie eeprom prin semnalul de procesare a cipului. Stocați date binare pentru a realiza stocarea datelor.

Principiul de control al memoriei de date eeprom este că tensiunea controlează valoarea tensiunii a tranzistorului de poartă, iar capacitatea de joncțiune a tranzistorului de poartă poate salva valoarea tensiunii pentru o lungă perioadă de timp. grilă. Pe semiconductor se formează o magazie plutitoare pentru stocarea electronilor, unde curentul conduce unidirecțional între sursă și scurgere. Poarta plutitoare este învelită cu un izolator de film de oxid de siliciu. Deasupra ei se află poarta de selectare/control care controlează curentul de conducție între sursă și scurgere. Datele sunt {{0}} sau 1, în funcție de faptul dacă există electroni în poarta plutitoare formată pe substratul de siliciu. 0 cu electroni, 1 fără electroni. Memoria flash, după cum sugerează și numele, este inițializată prin ștergerea datelor înainte de scriere. Mai exact, electronii sunt extrași din toate porțile plutitoare. Unele date vor fi returnate la „1” în curând. Când scrieți, scrieți numai când datele sunt 0 și nu faceți nimic când datele sunt 1. Când este scris un 0, se aplică o tensiune înaltă electrodului de poartă și drenajului, crescând energia electroni conduși între sursă și scurgere. Acest lucru permite electronilor să treacă prin izolatorul filmului de oxid și să intre în poarta plutitoare. La citirea datelor, se aplică o anumită tensiune electrodului de poartă, curentul este 1 când curentul este mare și 0 când curentul este mic. Într-o stare în care poarta plutitoare nu are electroni (datele sunt 1), o tensiune este aplicată la dren atunci când o tensiune este aplicată electrodului de poartă și este generat un curent datorită mișcării unui număr mare de electroni între sursă și scurgere. În starea în care poarta plutitoare are electroni (datele sunt 0), electronii conduși în canal se vor reduce. Deoarece tensiunea aplicată electrodului de poartă este absorbită de electronii de poartă plutitoare, este dificil să se afecteze canalul.